BSL308CH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSL308CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSL308CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.21 $0.12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) N+P complementary dual MOSFET
パッケージ PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C (junction)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
Part Family — OptiMOS™
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
ピン数 — 6

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