BSO220N03MDGXUMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSO220N03MDGXUMA1 メーカー: Infineon および BSZ031NE2LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ 生産中
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BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSO220N03MDGXUMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.24 $0.26
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 3M —
Configuration Dual N-Channel (2N-CH), independent —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) 7.7 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 22 mΩ max @ V_GS=10V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G nC] —
Power Dissipation (P_D) 1.4 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
パッケージ PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
動作接合温度 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

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