BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP135H6906XTSA1 メーカー: Infineon および BSP129H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP135H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.30
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA 350 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
動作温度範囲 -55C to +150C —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) —
MSLレベル 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
動作温度 — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

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