BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP135H6906XTSA1 제조: Infineon 및 BSP129H6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP135H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.30
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA 350 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
동작 온도 범위 -55C to +150C —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) —
MSL 레벨 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
동작 온도 — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

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