BSR315PH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSR315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP295H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSR315PH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.35
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
パッケージ PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Technology — Planar N-channel MOSFET
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

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