BSR315PH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR315PH6327XTSA1 por Infineon e BSP295H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR315PH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
Encapsulamento PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Technology — Planar N-channel MOSFET
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Fichas técnicas e recursos

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