BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS127H6327XTSA2 メーカー: Infineon および BSP129H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS127H6327XTSA2 BSP129H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.30
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
動作温度 — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

データシート&リソース

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