BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSS127H6327XTSA2 por Infineon e BSP129H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP129H6327XTSA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSS127H6327XTSA2 | BSP129H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,03 | $0,30 |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulamento | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Status RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 350 mA |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.8 W |
| Temperatura de operação | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage VGS(off) | — | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] |
| dv/dt Ruggedness | — | Yes (rated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | SIPMOS (vertical DMOS) |
| Drain Terminal | — | Tab (pin 4) |