BSS192PH6327FTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS192PH6327FTSA1 メーカー: Infineon および BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ 生産中
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS192PH6327FTSA1 BSP315PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.31
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
パッケージ PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55 C to +150 C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) —
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

データシート&リソース

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