BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ011NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon および BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.55 $0.42
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +150C
パッケージ PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Gate Drive — Logic-level compatible

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