BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ017NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon および BSZ031NE2LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ 生産中
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.64 $0.26
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 50 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C -55 C to +150 C
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

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