BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ017NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ036NE2LSATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.64
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
動作温度範囲 -55C to +150C —
MSLレベル 1 (Unlimited) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 50 W
動作接合温度 — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

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