BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon и BSZ017NE2LS5IATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,42 | $0,64 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | — |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| On-Resistance Test Current | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V @ 250 µA |
| Total Gate Charge Qg | — | 30 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2000 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 50 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55°C to +150°C |
| Series / Family | — | OptiMOS 5 25V |