BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0501NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.29 $0.34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj max] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

データシート&リソース

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