BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ0501NSIATMA1 от Infineon и BSZ0901NSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,29 $0,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
Корпус PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj max] -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Статус RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Число выводов — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену