BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ096N10LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ130N03LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V —
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
連続ドレイン電流(TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

データシート&リソース

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