BSZ0994NSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ0994NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC014NE2LSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ0994NSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.31 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 13 A | 33 A |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.1 W | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 8 | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| On-Resistance (RDS(on), typ @10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |