CY14V104LA-BA25XI vs CY14V104LA 比較

詳細な並列比較: CY14V104LA-BA25XI メーカー: Infineon および CY14V104LA メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.72 $10.85
メモリタイプ nvSRAM (Non-Volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
メモリサイズ 4 Mbit —
メモリ構成 512K x 8 / 256K x 16 —
インターフェース Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Access Time 25 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
電源電圧 3 V (typical 3.3 V) —
動作温度 -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
STORE Cycle Endurance 1,000,000 cycles minimum —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: retention years]
SRAM Read/Write Endurance Unlimited (infinite SRAM cycles) —
Address Bus (x8 mode) A0 to A18 —
Address Bus (x16 mode) A0 to A17 with BHE/BLE byte enables —
Non-Volatile Functions Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin —
パッケージ 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Grade Industrial —
Density — 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Read/Write Endurance — Unlimited (SRAM side)

データシート&リソース

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