DS1249AB-70IND+ vs DS1249AB-70IND 比較
詳細な並列比較: DS1249AB-70IND+ メーカー: Analog Devices および DS1249AB-70IND メーカー: Analog Devices。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | DS1249AB-70IND+ | DS1249AB-70IND |
|---|---|---|
| ブランド | Analog Devices | Analog Devices |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $65.80 | $49.85 |
| メモリタイプ | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| メモリサイズ | 2 Mbit (2,097,152 bits) | 2 Mbit (262,144 x 8) |
| メモリ構成 | 256K x 8 | 262,144 words x 8 bits |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns (max) | 70 ns |
| Write Cycle Time | 70 ns (word write, no write delay) | — |
| Data Retention | 10 years (typical, with internal lithium cell) | 10 years minimum (no external power) |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V ±10% (typical 4.5 V to 5.5 V) | — |
| 動作温度範囲 | -40 °C to +85 °C (industrial, -IND suffix) | — |
| パッケージ / ケース | 32-EDIP (Extended DIP, 0.600 in / 15.24 mm) | — |
| 実装タイプ | Through-Hole (DIP module with socket) | Through-Hole (DIP module) |
| ピン数 | 32 | — |
| Built-in Battery | Yes (internal lithium energy source) | — |
| Write Protection | Automatic on VCC out-of-tolerance | Automatic on VCC out-of-tolerance |
| Endurance | Unlimited SRAM read/write cycles | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per Maxim Integrated product page) | Contains lithium - subject to special handling rules |
| Shipping Regulation | UN3481 PI970 (lithium battery - air/sea per IATA) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (RoHS compliant) | — |
| Write Cycle Endurance | — | Unlimited writes |
| Backup Mechanism | — | Internal lithium energy cell + VCC monitor |
| Operating Voltage (VCC) | — | 5 V (typical NVSRAM range) |
| 動作温度 | — | -40C to +85C (industrial, -IND suffix) |
| パッケージ | — | 32-EDIP (Extended DIP module, 0.600 inch / 15.24 mm) |
| Technology | — | Low-power CMOS |