DS1249AB-70IND+ vs DS1249AB-70IND Сравнение

Подробное сравнение бок о бок DS1249AB-70IND+ от Analog Devices и DS1249AB-70IND от Analog Devices. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Analog Devices
DS1249AB-70IND+ DS1249AB-70IND+ - 2Mb NVSRAM 32-EDIP 70ns | Maxim Integrated

DS1249AB-70IND+ - 2Mb NVSRAM 32-EDIP 70ns | Maxim Integrated

DS1249AB-70IND+ ✓ Активен
Analog Devices
DS1249AB-70IND DS1249AB-70IND - 2Mb NVSRAM, 70ns, 32-EDIP | Analog Devices

DS1249AB-70IND - 2Mb NVSRAM, 70ns, 32-EDIP | Analog Devices

DS1249AB-70IND ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр DS1249AB-70IND+ DS1249AB-70IND
Бренд Analog Devices Analog Devices
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $65,80 $49,85
Тип памяти NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Размер памяти 2 Mbit (2,097,152 bits) 2 Mbit (262,144 x 8)
Организация памяти 256K x 8 262,144 words x 8 bits
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 70 ns (max) 70 ns
Write Cycle Time 70 ns (word write, no write delay) —
Data Retention 10 years (typical, with internal lithium cell) 10 years minimum (no external power)
Supply Voltage (VCC) 5 V ±10% (typical 4.5 V to 5.5 V) —
Диапазон рабочих температур -40 °C to +85 °C (industrial, -IND suffix) —
Корпус / Типоразмер 32-EDIP (Extended DIP, 0.600 in / 15.24 mm) —
Тип монтажа Through-Hole (DIP module with socket) Through-Hole (DIP module)
Число выводов 32 —
Built-in Battery Yes (internal lithium energy source) —
Write Protection Automatic on VCC out-of-tolerance Automatic on VCC out-of-tolerance
Endurance Unlimited SRAM read/write cycles —
Статус RoHS Compliant (per Maxim Integrated product page) Contains lithium - subject to special handling rules
Shipping Regulation UN3481 PI970 (lithium battery - air/sea per IATA) —
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (RoHS compliant) —
Write Cycle Endurance — Unlimited writes
Backup Mechanism — Internal lithium energy cell + VCC monitor
Operating Voltage (VCC) — 5 V (typical NVSRAM range)
Рабочая температура — -40C to +85C (industrial, -IND suffix)
Корпус — 32-EDIP (Extended DIP module, 0.600 inch / 15.24 mm)
Technology — Low-power CMOS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену