H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $2.40
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 —
インターフェース DDR4 (Double Data Rate IV) —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
電源電圧 [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
データレート [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps (DDR4-2666)
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS ステータス Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
メモリサイズ — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Packaging — Tray
ライフサイクル状態 — Active

データシート&リソース

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