H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKIR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKIR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
インターフェース DDR4 (Double Data Rate IV) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
電源電圧 [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
データレート [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps per pin
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS ステータス Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) —
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼