H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKI 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-VKI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.25 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) V (2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
データレート 2400 MT/s 2666 Mbps
インターフェース JEDEC DDR4 SDRAM —
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Termination On-die termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
電源電圧 — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

データシート&リソース

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