H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,25 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) V (2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
Скорость передачи данных 2400 MT/s 2666 Mbps
Интерфейс JEDEC DDR4 SDRAM —
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Termination On-die termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Напряжение питания — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену