H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $2.40
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
メモリ構成 512M x 8 —
データレート 2666 Mbps per pin 2666 Mbps (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] [DATA_NEEDED: refresh rate]
メモリサイズ — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Volatile / Non-Volatile — Volatile
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Packaging — Tray
ライフサイクル状態 — Active

データシート&リソース

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