H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $2,40
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Организация памяти 512M x 8 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps per pin 2666 Mbps (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] [DATA_NEEDED: refresh rate]
Размер памяти — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Статус RoHS — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Packaging — Tray
Статус жизненного цикла — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену