H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G4NAFR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G4NAFR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $2.30
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8Gb
メモリ構成 2Gb x 4 1G x 4
Interface Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V +/- 0.06 V —
Wordline Pump Voltage (VPP) 2.5 V (+0.25/-0.125 V) —
Speed Bins (per datasheet) DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) —
Bank Groups 4 (BG0-BG1) —
Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Row Address A0-A16 (17 bits) —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (RoHS Compliant per datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free)
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] —
Geardown Mode Note DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin]
インターフェース — Synchronous, differential clock CK_t/CK_c
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
ハロゲンフリー — Yes
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard
Manufacturer — SK hynix
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼