H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G4NAFR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 메모리 구성 | 2Gb x 4 | 1G x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Lead-Free) |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] |
| 인터페이스 | — | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |