H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ 生産中
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H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NCJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $60.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
インターフェースタイプ DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
パッケージ TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96
Number of Terminals 96 —
実装タイプ Surface Mount —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Composition CMOS —
データレート — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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