H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 生産中
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H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.74 $60.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
電源電圧 1.2 V —
データレート 2400 MT/s 2666 Mbps
パッケージ FBGA-96 FBGA-96
動作温度 0°C to +85°C 0°C to +95°C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 (BC4)
Refresh Auto self-refresh —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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