H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,74 | $60,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Taxa de dados | 2400 MT/s | 2666 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BC4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| RoHS | — | Compliant |