H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 生産中
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H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.15 $28.13
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
インターフェース SSTL12 Parallel (DDR4)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
メモリサイズ — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
データレート — 2666 Mbps/pin
Clock Frequency — 1.6 GHz
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

データシート&リソース

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