H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NAFR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NAFR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NAFR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $4.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
メモリ構成 1G x 8 (x8) 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
データレート [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 8 (BL8)
特長 ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
RoHS ステータス Lead-Free & Halogen-Free Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2666 (VKC bin)
インターフェース — SSTL12
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

データシート&リソース

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