H5AN8G8NCJR-VKI vs MT40A1G8AG-062E 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKI メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-VKI MT40A1G8AG-062E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.85 $3.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 1G x8 —
データレート 2666 Mbps —
電源電圧 1.2 V —
インターフェース Parallel Parallel
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
パッケージ FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Grade Industrial (I suffix) —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

データシート&リソース

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