H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $15.00 $5.75
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
メモリ構成 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 4G x 4
データレート 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet])
電源電圧 1.2 V (DDR4 standard) —
インターフェース DDR4, SSTL-12 SSTL-12
パッケージ FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C (family grade reference) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix)
Density — 16 Gb (2 GB)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Prefetch — 16n (bank group architecture)
特長 — Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode
Refresh — Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option]
Operating Temperature (case) — -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions)
Temperature Grade Suffix — RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free
VDDQ — 1.2 V
Product Family — SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series

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