H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NBJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NBJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $2.70
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 8 Gb (1 GB)
メモリ構成 2G x 8 x8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
インターフェース SSTL12 DDR4 (JEDEC standard)
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
RoHS ステータス Compliant (lead-free PBGA per family product data) Compliant
ライフサイクル状態 Active —
データレート — up to 2666 Mbps
電源電圧 — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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