H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,55 | $2,70 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Organización de memoria | 2G x 8 | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Interfaz | SSTL12 | DDR4 (JEDEC standard) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Velocidad de datos | — | up to 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |