H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBJ 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBJ
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $7.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
電源電圧 1.35V 1.35 V
データレート 1600 Mbps (PC3-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
動作温度 0°C to 95°C (case) —
CASレイテンシ Programmable (e.g., 11) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 —
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Process Technology CMOS —
メモリサイズ — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

データシート&リソース

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