H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBJ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-G7A par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBJ par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-G7A | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3-12800) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (case) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |