H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63MFR-PBA 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix および H5TC4G63MFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-G7A | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35V | — |
| データレート | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (case) | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 11) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Process Technology | CMOS | 30nm-class |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |