H5TC4G63AFR-PBJ vs H5TC4G63AFR-G7A 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-G7A
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4 Gb (256M x 16) —
電源電圧 1.35 V 1.35V
パッケージ 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Refresh Cycles 8192 —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
データレート [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] 1600 Mbps (PC3-12800)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] Programmable (e.g., 11)
Access Time 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Density — 4Gb
メモリ構成 — 256M x 16
動作温度 — 0°C to 95°C (case)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Process Technology — CMOS

データシート&リソース

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