IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N08S5N043ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC50N08S5L096ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.72 $0.98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) —
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55°C to +175°C
パッケージ PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
湿気感度レベル(MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Channel Mode Enhancement —
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

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