IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5N022ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.68 $0.68
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) 170 A (Tj) —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 136 W (Tc) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
パッケージ PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 trench OptiMOS 6
Channel Type N-Channel —
ピン数 8 (with exposed pad) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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