IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N06S5N022ATMA1 por Infineon e IAUC120N04S6N010ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC120N06S5N022ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,68 | $0,68 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 A (Tj) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 136 W (Tc) | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 trench | OptiMOS 6 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Contagem de pinos | 8 (with exposed pad) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |