IAUC120N06S5N032ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5N032ATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5N032ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.62
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 94 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 47 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology OptiMOS-5 N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
動作温度範囲 -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C
パッケージ PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
実装タイプ Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
ピン数 8 —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Gate Resistance (Rg) [DATA_NEEDED: Rg] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼