IAUC120N06S5N032ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5N032ATMA1 제조: Infineon 및 ISC015N06NM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5N032ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.62
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 94 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 47 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology OptiMOS-5 N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
동작 온도 범위 -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C
패키지 PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
실장 유형 Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
핀 수 8 —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Gate Resistance (Rg) [DATA_NEEDED: Rg] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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