IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC28N08S5L230ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6L012ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 6 40V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape & Reel

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