IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUC28N08S5L230ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) —
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS-5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 28 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 23 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) — 2.5 V
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 38 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS-5 Power MOSFET
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼