IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC60N06S5L073ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L006ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.41 $1.38
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 60 A —
On-Resistance RDS(on) max 7.3 mΩ —
Total Gate Charge (QG) 17.4 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-43
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS-7 trench
ピン数 8 —
Configuration Single N-Channel —
Qualification AEC-Q101 automotive grade —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
ピン数 — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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