IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC60N06S5L073ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7N034ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUCN08S7N034ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.41 | $1.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 7 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | — |
| ピン数 | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL 1 (unlimited floor life) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 3.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.27 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.115 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 23 pF |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 118 W |
| 動作接合温度 | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |